Invia messaggio
english français Deutsch Italiano русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Casa.
prodotti
costruttori
Su di noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa.>prodotti>

fet field effect transistor

Filtri
Categorie
Filtri

Circuiti integrati ics

(7037)

Chip IC di memoria

(2998)

Isolatore analogico IC

(2527)

Microcontroller ed unità di elaborazione incastonate

(5001)

Transistor ad effetto di campo

(1839)

Modulo di alimentazione IGBT

(1002)

Triodo del diodo

(303)

Condensatore per tutti gli usi

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Induttore di potere di SMD

(100)

Componente del relè

(203)

Fusibili di protezione di circuito

(195)
Keywords   [ fet field effect transistor ]  Match 1597 prodotti.
Transistor di effetto di campo SMT/di SMD Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

Transistor di effetto di campo SMT/di SMD Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A
Chip 75V 170A del Mosfet del transistor di effetto di campo di potere di IRFS3207Z per protezione di circuito

Chip 75V 170A del Mosfet del transistor di effetto di campo di potere di IRFS3207Z per protezione di circuito
AO4266E Transistor ad effetto campo N-Channel 60V 11A Mosfet montaggio a superficie singola SOP8

AO4266E Transistor ad effetto campo N-Channel 60V 11A Mosfet montaggio a superficie singola SOP8
AO4264E Transistor ad effetto campo N canale 60V 13.5A Mosfet Surface Mount SOP8 4264

AO4264E Transistor ad effetto campo N canale 60V 13.5A Mosfet Surface Mount SOP8 4264
AO4459 Transistor a effetto campo 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FET canale P singolo

AO4459 Transistor a effetto campo 6.5A SOP8 SOIC8 MOS FET canale P singolo
AO4616 Transistor a effetto campo SOP8 SOIC8 MOS FET canale N+P singolo

AO4616 Transistor a effetto campo SOP8 SOIC8 MOS FET canale N+P singolo
FET nuovo 68mΩ originale 290W del MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 di SLH60R080SS

FET nuovo 68mΩ originale 290W del MOSFET 600V47A N-Channne TO-247 di SLH60R080SS
Marcatura A2 dei Fets di N-Manica 30v 4a Sot23 del Mosfet di potere del transistor di effetto di campo Ao3402 singola

Marcatura A2 dei Fets di N-Manica 30v 4a Sot23 del Mosfet di potere del transistor di effetto di campo Ao3402 singola
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3512K2
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3514M4

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CE3514M4
Immagineparte #DescrizionefabbricanteStoccaggioRFQ
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STI34N65M5 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STI34N65M5 singoli
PSMN4R4-80PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN4R4-80PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
PSMN1R6-30PL, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN1R6-30PL, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STF10N95K5 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STF10N95K5 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIRA52DP-T1-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIRA52DP-T1-GE3 singoli
PH2925U, 115 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PH2925U, 115 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
PSMN015-60BS, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN015-60BS, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STD5NK50ZT4 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STD5NK50ZT4 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STL8NH3LL singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STL8NH3LL singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI10N62K3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI10N62K3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP9NK65ZFP singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP9NK65ZFP singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STI13NM60N singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STI13NM60N singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHP15N60E-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHP15N60E-GE3 singoli
BUK7907-55AIE, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

BUK7907-55AIE, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STI260N6F6 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STI260N6F6 singoli
PSMN5R0-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN5R0-100PS, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IPW65R280E6 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IPW65R280E6 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI13N95K3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI13N95K3 singoli
TK17E65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S1X singoli

TK17E65W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S1X singoli
STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

STW13NM60N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STW13N60M2 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STW13N60M2 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IPW50R250CP singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IPW50R250CP singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI7N80K5 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI7N80K5 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP20NM65N singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP20NM65N singoli
PSMN1R5-40ES, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN1R5-40ES, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRLZ44SPBF singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRLZ44SPBF singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SUP70040E-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SUP70040E-GE3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PSMN1R9-40PLQ singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PSMN1R9-40PLQ singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU6N65K3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STU6N65K3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHF15N60E-E3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHF15N60E-E3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHF15N60E-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHF15N60E-GE3 singoli
TK16E60W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S1VX singoli

TK16E60W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S1VX singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB80NF55L-08-1 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB80NF55L-08-1 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHP30N60E-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHP30N60E-GE3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP80NF10FP singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STP80NF10FP singoli
PSMN2R0-60ES, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN2R0-60ES, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOT2502L singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOT2502L singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STP100NF04 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STP100NF04 singoli
PSMN5R0-100ES, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

PSMN5R0-100ES, 127 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRFB3207ZGPBF singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRFB3207ZGPBF singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STFI13NK60Z singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STFI13NK60Z singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHF30N60E-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHF30N60E-GE3 singoli
TK14N65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S1F singoli

TK14N65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S1F singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STP18N55M5 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STP18N55M5 singoli
TK12A80W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S4X singoli

TK12A80W, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S4X singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB180N55F3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STB180N55F3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFW1N105K3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFW1N105K3 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STF45N10F7 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STF45N10F7 singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOTF20C60PL singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AOTF20C60PL singoli
MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHH21N65E-T1-GE3 singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHH21N65E-T1-GE3 singoli
7 8 9 10 11 12 13 14
Contattaci
Indirizzo: ST NOIOSA MONGKOKKL DI RE COMM CRT 2-16 FAYUEN DI RM4,16/F
E-mail: Vicky@kz-chipforum.com
Telefono: 86--15218629016
prodotti

Circuiti integrati ics

Chip IC di memoria

Isolatore analogico IC

Microcontroller ed unità di elaborazione incastonate

Transistor ad effetto di campo

Modulo di alimentazione IGBT

Triodo del diodo

Condensatore per tutti gli usi

Connectors Interconnects

Induttore di potere di SMD
Su di noi
Su di noi Certificato di iso Controllo della qualità Politica sulla privacy Centro di aiuto
Politica sulla privacy | Buona qualità della Cina Circuiti integrati ics Fornitore. © di Copyright 2023-2025 integratedcircuitsics.com . Tutti i diritti Riservato.