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Modulo di alimentazione IGBT

Porcellana Modulo di alimentazione IGBT

Transistor 600V 143A 625W TO264 del modulo di potere di APT80GA60LD40 IGBT

Numero del pezzo:APT80GA60LD40

Produttore:Microsemi Corporation

Descrizione:IGBT 600V 143A 625W TO264
Modulo di potere di APT45GP120BG IGBT 1200V 100A attraverso il montaggio del foro

Numero del pezzo:APT45GP120BG

Produttore:Microsemi Corporation

Descrizione:IGBT 1200V 100A 625W TO247
Transistor 1700V 75A 350W TO268 del modulo di potere di IXGT32N170 IGBT

Numero del pezzo:IXGT32N170

Produttore:IXYS

Descrizione:IGBT 1700V 75A 350W TO268
Modulo 1200V 96A 543W TO247 del transistor di potenza di APT35GP120BG IGBT

Numero del pezzo:APT35GP120BG

Produttore:Microsemi Corporation

Descrizione:IGBT 1200V 96A 543W TO247
Originale del modulo di potere di IXXX200N65B4 IGBT 650V 370A 1150W PLUS247

Numero del pezzo:IXXX200N65B4

Produttore:IXYS

Descrizione:IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Singoli IGBT transistor 1200V 170A 962W TO247 del modulo di APT85GR120B2

Numero del pezzo:APT85GR120B2

Produttore:Microsemi Corporation

Descrizione:IGBT 1200V 170A 962W TO247
Modulo di potere di STGW60V60F IGBT 600V 80A 375W TO247 IGBTs singolo

Numero del pezzo:STGW60V60F

Produttore:STMicroelectronics

Descrizione:IGBT 600V 80A 375W TO247
Moduli automobilistici di IKW40N120H3FKSA1 N-CH 1200V 80A 483mW IGBT

Pacchetto del fornitore:A-247

Tensione massima dell'Collettore-emettitore (v):1200V

Corrente di collettore continua massima (A):80A
Transistor del modulo di alimentazione IGBT STGB30H60DF 600V 60A 260W D2PAK 30H60

Numero del pezzo:STGB30H60DF

Produttore:STMicroelectronics

Descrizione:IGBT 600V 60A 260W D2PAK
IGBT Power Transistors NGTB40N120SWG Charging Pile Inverter Welding Chip

Modello del prodotto:NGTB40N120SWG

Pacchetto del fornitore:TO-247-3

Descrizione sommaria:Transistor bipolare a gate isolato
APT65GP60L2DQ2G Modulo di alimentazione IGBT Transistor 600V 198A 833W TO264 Microsemi Corporation 65GP60

Numero del pezzo:APT65GP60L2DQ2G

Produttore:Microsemi Corporation

Descrizione:IGBT 600V 198A 833W TO264
Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 di APT50GT60BRDQ2G Insulated

Numero del pezzo:APT50GT60BRDQ2G

Produttore:Microsemi Corporation

Descrizione:IGBT 600V 110A 446W TO247

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MCU ha incastonato le unità di elaborazione & i regolatori STM32F103RCT6