MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STI13NM60N singoli
Specificità
Numero del pezzo:
STI13NM60N
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
MDmesh™ II
Introduzione
Specifiche di STI13NM60N
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 11A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 4V @ 250µA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 790pF @ 50V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 90W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | I2PAK |
Pacchetto/caso | TO-262-3 lungamente conduce, io ² Pak, TO-262AA |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di STI13NM60N
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable