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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di STI13NM60N singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
STI13NM60N
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
MDmesh™ II
Introduzione

Specifiche di STI13NM60N

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 600V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 11A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 790pF @ 50V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 90W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore I2PAK
Pacchetto/caso TO-262-3 lungamente conduce, io ² Pak, TO-262AA
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STI13NM60N

Rilevazione

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