MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di PSMN1R9-40PLQ singoli
Specificità
Numero del pezzo:
PSMN1R9-40PLQ
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione
Specifiche di PSMN1R9-40PLQ
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 150A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 2.1V @ 1mA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 120nC @ 5V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 13200pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 349W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 1,7 mOhm @ 25A, 10V |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-220AB |
Pacchetto/caso | TO-220-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di PSMN1R9-40PLQ
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable