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IRF7501TR Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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IRF7501TR Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Grande immagine :  IRF7501TR Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

IRF7501TR Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descrizione
Numero del pezzo: IRF7501TR Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

IRF7501TR Specifications

Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V
Power - Max 1.25W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Supplier Device Package Micro8™
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRF7501TR Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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