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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (163 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR

QS8M11TCR Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR

descrizione

Numero del pezzo:	QS8M11TCR	Produttore:	Rohm semiconduttore
Descrizione:	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche di QS8M11TCR

Stato della parte	Non per le nuove progettazioni
Tipo del FET	N e P-Manica
Caratteristica del FET	-
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	3.5A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	-
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	-
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	-
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	-
Massimo elettrico	-
Temperatura di funzionamento	-
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-SMD, cavo piano
Pacchetto del dispositivo del fornitore	TSMT8
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di QS8M11TCR

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di QS8M11TCR

Prodotto Tag:

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