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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC2990UDJ-7

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
DMC2990UDJ-7 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC2990UDJ-7

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMC2990UDJ-7

descrizione
Numero del pezzo: DMC2990UDJ-7 Produttore: Diodi incorporati
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SOT963 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

Specifiche DMC2990UDJ-7

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 450mA, 310mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 27.6pF @ 15V
Massimo elettrico 350mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-963
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-963
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMC2990UDJ-7

Rilevazione

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