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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (119 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF

IRF7506TRPBF Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF

descrizione

Numero del pezzo:	IRF7506TRPBF	Produttore:	Infineon Technologies
Descrizione:	MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	HEXFET®

Specifiche di IRF7506TRPBF

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	1.7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	270 mOhm @ 1.2A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	180pF @ 25V
Massimo elettrico	1.25W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza di 3.00mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore	Micro8™
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF7506TRPBF

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7506TRPBF

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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