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NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Name: NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo
Brand: NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo
SKU: NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (181 reviews)

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NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

NX3020NAKS,115 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

descrizione

Numero del pezzo:	NX3020NAKS, 115	Produttore:	Nexperia USA Inc.
Descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici

NX3020NAKS, 115 specifiche

Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	180mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	4,5 ohm @ 100mA, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1.5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	0.44nC @ 4.5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	13pF @ 10V
Massimo elettrico	375mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto del dispositivo del fornitore	6-TSSOP
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

NX3020NAKS, 115 che imballano

Rilevazione

NX3020NAKS, 115 matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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