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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389

Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (192 reviews)

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389

IRF7389 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine : Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389

descrizione

Numero del pezzo:	IRF7389	Produttore:	Infineon Technologies
Descrizione:	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	HEXFET®

Specifiche IRF7389

Stato della parte	Obsoleto
Tipo del FET	N e P-Manica
Caratteristica del FET	Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	-
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	29 mOhm @ 5.8A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	650pF @ 25V
Massimo elettrico	2.5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto/caso	8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore	8-SO
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF7389

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