Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 di APT50GT60BRDQ2G Insulated
APT50GT60BRDQ2G
,Transistor bipolare isolato IGBT del portone
,IGBT ha isolato il transistor bipolare del portone
APT50GT60BRDQ2G Modulo di potenza IGBT Transistor IGBT Singolo
Specifiche APT50GT60BRDQ2G
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo IGBT | TNP |
| Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 110A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,5 V a 15 V, 50 A |
| Potenza - max | 446W |
| Energia di commutazione | 995µJ (acceso), 1070µJ (spento) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Carica di cancello | 240nC |
| Td (acceso/spento) @ 25°C | 14ns/240ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Attraverso il foro |
| Confezione/caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx espresso. |
| Condizione | Nuova fabbrica originale |
APT50GT60BRDQ2G Confezione
Parti correlate perAPT50GT60BRDQ2G
| STM32G031G6U6 | STM32G031G6U6 | TJA1021T/20 |
| TJA1021T/20 | TJA1021T/20 | AM4378BZDN100 |
| AM4378BZDN100 | AM4378BZDN100 | AD8338ACPZ |
| AD8338ACPZ | AD8338ACPZ | TPS62060DSG |
| TPS62060DSG | TPS62060DSG | STM32F429 |
| STM32F429 | STM32F429 | TPS62133RGTR |
| TPS62133RGTR | TPS62133RGTR | LM1117MPX-ADJ/NOPB |
| LMR33630BDDAR | LM1117MPX-ADJ/NOPB | REF5050AIDGKR |
| LM1117MPX-ADJ/NOPB | REF5050AIDGKR | IPC100N04S5-1R9 |
| REF5050AIDGKR | IPC100N04S5-1R9 | SN74AHC1G125DBVR |
| IPC100N04S5-1R9 | SN74AHC1G125DBVR | MAX9737ETG+T |
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Consiglio vivamente questo venditore a chiunque desideri acquistare componenti elettronici.I prezzi sono competitivi e la spedizione è stata rapida ed efficiente.I prodotti che ho ricevuto erano esattamente come descritti e sono molto soddisfatto del mio acquisto.16 aprile 2019
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