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Transistor IGBTs del modulo di potere di HGT1S7N60A4DS IGBT singolo

Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
negoziabile
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
HGT1S7N60A4DS
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione

Specifiche di HGT1S7N60A4DS

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 34A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 56A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.7V @ 15V, 7A
Massimo elettrico 125W
Energia di commutazione 55µJ (sopra), 60µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 37nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 11ns/100ns
Condizione di prova 390V, 7A, 25 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 34ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di HGT1S7N60A4DS

Rilevazione

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