Transistor IGBTs del modulo di potere di FGPF10N60UNDF IGBT singolo
Specificità
Numero del pezzo:
FGPF10N60UNDF
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:
IGBT 600V 20A 42W TO-220F
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di FGPF10N60UNDF
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | NPT |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 20A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 30A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.45V @ 15V, 10A |
Massimo elettrico | 42W |
Energia di commutazione | 150µJ (sopra), 50µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 37nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 8ns/52.2ns |
Condizione di prova | 400V, 10A, 10 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 37.7ns |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | Pacchetto completo TO-220-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-220F-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di FGPF10N60UNDF
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable