Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA25N120ANTDTU_F109 IGBT singolo
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
FGA25N120ANTDTU_F109
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche FGA25N120ANTDTU_F109
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo di IGBT | NPT e fossa |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1200V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 50A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.65V @ 15V, 50A |
| Massimo elettrico | 312W |
| Energia di commutazione | 4.1mJ (sopra), 960µJ (fuori) |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 200nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 50ns/190ns |
| Condizione di prova | 600V, 25A, 10 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 350ns |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
| Pacchetto/caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-3P |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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