Transistor IGBTs del modulo di potere di RGT60TS65DGC11 IGBT singolo
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
RGT60TS65DGC11
Produttore:
Rohm semiconduttore
Descrizione:
IGBT 650V 55A 194W TO-247N
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche RGT60TS65DGC11
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 650V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 55A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 30A |
| Massimo elettrico | 194W |
| Energia di commutazione | - |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 58nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 29ns/100ns |
| Condizione di prova | 400V, 30A, 10 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 58ns |
| Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
| Pacchetto/caso | TO-247-3 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247N |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable