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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT200GN60B2G IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di APT200GN60B2G IGBT singolo

APT200GN60B2G IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
APT200GN60B2G IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di APT200GN60B2G IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di APT200GN60B2G IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: APT200GN60B2G Produttore: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 600V 283A 682W TO247 Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di APT200GN60B2G

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 283A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 600A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 1.85V @ 15V, 200A
Massimo elettrico 682W
Energia di commutazione 13mJ (sopra), 11mJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 1180nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 50ns/560ns
Condizione di prova 400V, 200A, 1 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APT200GN60B2G

Rilevazione

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