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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG8CH20K10F IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG8CH20K10F IGBT singolo

IRG8CH20K10F IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
IRG8CH20K10F IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG8CH20K10F IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG8CH20K10F IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: IRG8CH20K10F Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRAVELOCI MUOIONO Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche di IRG8CH20K10F

Stato della parte Obsoleto
Tipo di IGBT -
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 1200V
Corrente - collettore (CI) (massimo) -
Corrente - collettore pulsato (Icm) -
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 15A
Massimo elettrico -
Energia di commutazione -
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 90nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 20ns/170ns
Condizione di prova 600V, 15A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di IRG8CH20K10F

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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