Transistor IGBTs del modulo di potere di IRG8CH10K10F IGBT singolo
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
IRG8CH10K10F
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
IGBT 1200V 5A MUOIONO
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di IRG8CH10K10F
| Stato della parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo di IGBT | - |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1200V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | - |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | - |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2V @ 15V, 5A |
| Massimo elettrico | - |
| Energia di commutazione | - |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 30nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 20ns/160ns |
| Condizione di prova | 600V, 5A, 47 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | Muoia |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | Muoia |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di IRG8CH10K10F
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable