Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW60H65DFB IGBT singolo
Specificità
Descrizione:
IGBT 650V 80A 375W TO-247
Numero del pezzo:
STGW60H65DFB
Produttore:
STMicroelectronics
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di STGW60H65DFB
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 650V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 80A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 240A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2V @ 15V, 60A |
Massimo elettrico | 375W |
Energia di commutazione | 1.09mJ (sopra), 626µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 306nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 51ns/160ns |
Condizione di prova | 400V, 60A, 5 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di STGW60H65DFB
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable