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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGW60H65DFB IGBT singolo

Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
IGBT 650V 80A 375W TO-247
Numero del pezzo:
STGW60H65DFB
Produttore:
STMicroelectronics
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione

Specifiche di STGW60H65DFB

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 240A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 60A
Massimo elettrico 375W
Energia di commutazione 1.09mJ (sopra), 626µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 306nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 51ns/160ns
Condizione di prova 400V, 60A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 60ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto/caso TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGW60H65DFB

Rilevazione

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