Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTG15N60S1EG IGBT singolo
Specificità
Numero del pezzo:
NGTG15N60S1EG
Produttore:
Sul semiconduttore
Descrizione:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di NGTG15N60S1EG
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | NPT |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 30A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 120A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 1.7V @ 15V, 15A |
Massimo elettrico | 117W |
Energia di commutazione | 550µJ (sopra), 350µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 88nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 65ns/170ns |
Condizione di prova | 400V, 15A, 22 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | TO-220-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-220 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di NGTG15N60S1EG
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable