Transistor IGBTs del modulo di potere di RJP60F5DPK-01#T0 IGBT singolo
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
RJP60F5DPK-01#T0
Produttore:
Elettronica America di Renesas
Descrizione:
IGBT 600V 80A 260.4W
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche RJP60F5DPK-01#T0
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo di IGBT | - |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 80A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 160A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 1.8V @ 15V, 40A |
| Massimo elettrico | 260.4W |
| Energia di commutazione | - |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 74nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 53ns/90ns |
| Condizione di prova | 400V, 30A, 5 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
| Pacchetto/caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-3P |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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MOQ:
Negotiable