Transistor IGBTs del modulo di potere di IKD06N60RFATMA1 IGBT singolo
Specificità
Numero del pezzo:
IKD06N60RFATMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Serie:
TrenchStop®
Introduzione
Specifiche IKD06N60RFATMA1
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 12A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 18A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.5V @ 15V, 6A |
Massimo elettrico | 100W |
Energia di commutazione | 90µJ (sopra), 90µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 48nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 7ns/106ns |
Condizione di prova | 400V, 6A, 23 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 48ns |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto/caso | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | PG-TO252-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
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Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable