Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB25N120FLWG IGBT singolo
Specificità
Numero del pezzo:
NGTB25N120FLWG
Produttore:
Sul semiconduttore
Descrizione:
IGBT 1200V 25A TO247-3
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di NGTB25N120FLWG
Stato della parte | Non per le nuove progettazioni |
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Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1200V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 50A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 200A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.2V @ 15V, 25A |
Massimo elettrico | 192W |
Energia di commutazione | 1.5mJ (sopra), 950µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 220nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 91ns/228ns |
Condizione di prova | 600V, 25A, 10 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 240ns |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di NGTB25N120FLWG
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable