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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB30M65DF2 IGBT singolo

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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB30M65DF2 IGBT singolo

STGB30M65DF2 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single
STGB30M65DF2 IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Grande immagine :  Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB30M65DF2 IGBT singolo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB30M65DF2 IGBT singolo

descrizione
Numero del pezzo: STGB30M65DF2 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 650V 30A D2PAK Categoria: Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia: Transistor - IGBTs - singoli

Specifiche STGB30M65DF2

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 60A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 120A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 30A
Massimo elettrico 258W
Energia di commutazione 300µJ (sopra), 960µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 80nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 31.6ns/115ns
Condizione di prova 400V, 30A, 10 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 140ns
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare STGB30M65DF2

Rilevazione

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