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Transistor IGBTs del modulo di potere di STGB40H65FB IGBT singolo

Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
STGB40H65FB
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Serie:
HB
Introduzione

Specifiche di STGB40H65FB

Stato della parte Attivo
Tipo di IGBT Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 650V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 80A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 160A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 40A
Massimo elettrico 283W
Energia di commutazione 498µJ (sopra), 363µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 210nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 40ns/142ns
Condizione di prova 400V, 40A, 5 ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di STGB40H65FB

Rilevazione

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