Transistor IGBTs del modulo di potere di RGT8BM65DTL IGBT singolo
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
RGT8BM65DTL
Produttore:
Rohm semiconduttore
Descrizione:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di RGT8BM65DTL
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo di IGBT | Fermata di campo della fossa |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 650V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 8A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 12A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 4A |
| Massimo elettrico | 62W |
| Energia di commutazione | - |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 13.5nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Condizione di prova | 400V, 4A, 50 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
| Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-252 |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di RGT8BM65DTL
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MOQ:
Negotiable