Transistor IGBTs del modulo di potere di NGTB03N60R2DT4G IGBT singolo
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
IGBT 9A 600V DPAK
Numero del pezzo:
NGTB03N60R2DT4G
Produttore:
Sul semiconduttore
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di NGTB03N60R2DT4G
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo di IGBT | - |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 600V |
| Corrente - collettore (CI) (massimo) | 9A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 12A |
| Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 3A |
| Massimo elettrico | 49W |
| Energia di commutazione | 50µJ (sopra), 27µJ (fuori) |
| Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 17nC |
| Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 27ns/59ns |
| Condizione di prova | 300V, 3A, 30 ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
| Temperatura di funzionamento | 175°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | DPAK |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di NGTB03N60R2DT4G
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MOQ:
Negotiable