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BLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G27L-40P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLF6G27L-40P,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  BLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G27L-40P, 112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF6G27L-40P, 112 specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 17.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica 12W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1121A
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G27L-40P, 112 che imballano

Rilevazione

BLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27L-40P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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