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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

MRF8S21140HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine : Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

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Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

descrizione

Numero del pezzo:	MRF8S21140HSR3	Produttore:	NXP USA Inc.
Descrizione:	FET RF 65V 2.14GHZ NI780S	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S21140HSR3

Stato della parte	Obsoleto
Tipo del transistor	LDMOS
Frequenza	2.14GHz
Guadagno	17.9dB
Tensione - prova	28V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	970mA
Uscita elettrica	34W
Tensione - stimata	65V
Pacchetto/caso	NI-780S
Pacchetto del dispositivo del fornitore	NI-780S
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S21140HSR3

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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