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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

MRF8S21140HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
MRF8S21140HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S21140HSR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S21140HSR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 65V 2.14GHZ NI780S Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S21140HSR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.14GHz
Guadagno 17.9dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 970mA
Uscita elettrica 34W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780S
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780S
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S21140HSR3

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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