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BLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G22LS-180PN,11 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLF6G22LS-180PN,11 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  BLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
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Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
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Capacità di alimentazione: 100000

BLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G22LS-180PN, 11 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 17DB SOT502B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF6G22LS-180PN, 11 specifica

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 17.5dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.6A
Uscita elettrica 50W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT502B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G22LS-180PN, 11 che imballano

Rilevazione

BLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G22LS-180PN, un chip di 11 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli di contatto
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