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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di APTM100A13SG

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
APTM100A13SG
Produttore:
Microsemi Corporation
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione

Specifiche di APTM100A13SG

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (mezzo ponte)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 65A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 5V @ 6mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 562nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 15200pF @ 25V
Massimo elettrico 1250W
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto del telaio
Pacchetto/caso SP6
Pacchetto del dispositivo del fornitore SP6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di APTM100A13SG

Rilevazione

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