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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6150

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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6150

IRF6150 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
IRF6150 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grande immagine :  Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6150

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo IRF6150

descrizione
Numero del pezzo: IRF6150 Produttore: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - matrici Serie: HEXFET®

Specifiche IRF6150

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7.9A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds -
Massimo elettrico 3W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 16-FlipFet™
Pacchetto del dispositivo del fornitore 16-FlipFet™
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare IRF6150

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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