Invia messaggio
Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8822#A

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8822#A

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
AO8822#A
Produttore:
Alfa & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione

Specifiche di AO8822#A

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET Scolo comune (doppio) di N-Manica 2
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 18 mOhm @ 7A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 780pF @ 10V
Massimo elettrico 1.5W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-TSSOP (0,173", larghezza di 4.40mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-TSSOP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di AO8822#A

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8822#AMatrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8822#AMatrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8822#AMatrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di AO8822#A

Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable