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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7341TRPBF

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
IRF7341TRPBF
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
HEXFET®
Introduzione

Specifiche di IRF7341TRPBF

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 N-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 55V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 4.7A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 740pF @ 25V
Massimo elettrico 2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di IRF7341TRPBF

Rilevazione

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