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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP6050SSD-13

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
DMP6050SSD-13
Produttore:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione

Specifiche DMP6050SSD-13

Stato della parte Attivo
Tipo del FET 2 P-Manica (doppi)
Caratteristica del FET Norma
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 4.8A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 55 mOhm @ 5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1293pF @ 30V
Massimo elettrico 1.2W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SO
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMP6050SSD-13

Rilevazione

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