Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ZXMN6A11DN8TA
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
ZXMN6A11DN8TA
Produttore:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione
Specifiche di ZXMN6A11DN8TA
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | 2 N-Manica (doppi) |
| Caratteristica del FET | Portone del livello logico |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 2.5A |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 1V @ 250µA (min) |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 330pF @ 40V |
| Massimo elettrico | 1.8W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm) |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | 8-SOP |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di ZXMN6A11DN8TA
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable