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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTUD3169CZT5G

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
NTUD3169CZT5G
Produttore:
Sul semiconduttore
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-963
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Introduzione

Specifiche di NTUD3169CZT5G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 20V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 220mA, 200mA
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 1,5 ohm @ 100mA, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs -
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 12.5pF @ 15V
Massimo elettrico 125mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso SOT-963
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-963
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTUD3169CZT5G

Rilevazione

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