Invia messaggio
Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897C

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897C

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
FDS4897C
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
PowerTrench®
Introduzione

Specifiche di FDS4897C

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N e P-Manica
Caratteristica del FET Portone del livello logico
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 40V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6.2A, 4.4A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 29 mOhm @ 6.2A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 760pF @ 20V
Massimo elettrico 900mW
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SOIC
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di FDS4897C

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897CMatrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897CMatrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897CMatrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di FDS4897C

Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable