Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SI7540DP-T1-GE3
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
SI7540DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
TrenchFET®
Introduzione
Specifiche SI7540DP-T1-GE3
| Stato della parte | Affare di ultima volta |
|---|---|
| Tipo del FET | N e P-Manica |
| Caratteristica del FET | Portone del livello logico |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 12V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 7.6A, 5.7A |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 1.5V @ 250µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | - |
| Massimo elettrico | 1.4W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | PowerPAK® SO-8 doppio |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballare SI7540DP-T1-GE3
Rilevazione
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable