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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2039UFDE-7 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
DMP2039UFDE-7
Produttore:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche DMP2039UFDE-7

Stato della parte Attivo
Tipo del FET P-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 25V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 6.7A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 1V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 48.7nC @ 8V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 2530pF @ 15V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 800mW (tum)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 27 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore U-DFN2020-6 (tipo E)
Pacchetto/caso 6-UDFN ha esposto il cuscinetto
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare DMP2039UFDE-7

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2039UFDE-7 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2039UFDE-7 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2039UFDE-7 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo DMP2039UFDE-7 singoli

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