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PSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
PSMN1R6-30BL, 118
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

PSMN1R6-30BL, 118 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 30V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 100A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.15V @ 1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 212nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 12493pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 306W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 1,9 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

PSMN1R6-30BL, 118 che imballano

Rilevazione

PSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoliPSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoliPSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoliPSMN1R6-30BL, 118 MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo singoli

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