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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STL25N15F3 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
STL25N15F3
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
STripFET™ III
Introduzione

Specifiche STL25N15F3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 150V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 25A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 80W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 57 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerFlat™ (6x5)
Pacchetto/caso 8-PowerVDFN
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STL25N15F3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STL25N15F3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STL25N15F3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STL25N15F3 singoli

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