MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SISS40DN-T1-GE3 singoli
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
SISS40DN-T1-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
ThunderFET®
Introduzione
Specifiche SISS40DN-T1-GE3
| Stato della parte | Attivo |
|---|---|
| Tipo del FET | N-Manica |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 36.5A (TC) |
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 3.5V @ 250µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 845pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica del FET | - |
| Dissipazione di potere (massima) | 3.7W (tum), 52W (TC) |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | PowerPAK® 1212-8S |
| Pacchetto/caso | PowerPAK® 1212-8S |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballare SISS40DN-T1-GE3
Rilevazione
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable