Invia messaggio
Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NVTFS5811NLTAG singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NVTFS5811NLTAG singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
NVTFS5811NLTAG
Produttore:
Sul semiconduttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche di NVTFS5811NLTAG

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 40V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 16A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1570pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 3.2W (tum), 21W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 6,7 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto/caso 8-PowerWDFN
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NVTFS5811NLTAG

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NVTFS5811NLTAG singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NVTFS5811NLTAG singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NVTFS5811NLTAG singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NVTFS5811NLTAG singoli

Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable