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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SI7315DN-T1-GE3 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
SI7315DN-T1-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
TrenchFET®
Introduzione

Specifiche SI7315DN-T1-GE3

Stato della parte Attivo
Tipo del FET P-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 150V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 8.9A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 880pF @ 75V
Vgs (massimo) -
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 3.8W (tum), 52W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 315 mOhm @ 2.4A, 10V
Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerPAK® 1212-8
Pacchetto/caso PowerPAK® 1212-8
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare SI7315DN-T1-GE3

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SI7315DN-T1-GE3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SI7315DN-T1-GE3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SI7315DN-T1-GE3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SI7315DN-T1-GE3 singoli

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