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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIJ438DP-T1-GE3 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
SIJ438DP-T1-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
TrenchFET®
Introduzione

Specifiche SIJ438DP-T1-GE3

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 40V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 80A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 2.4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 182nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 9400pF @ 20V
Vgs (massimo) +20V, -16V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 69.4W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs mOhm 1,35 @ 20A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerPAK® SO-8
Pacchetto/caso PowerPAK® SO-8
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare SIJ438DP-T1-GE3

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIJ438DP-T1-GE3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIJ438DP-T1-GE3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIJ438DP-T1-GE3 singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIJ438DP-T1-GE3 singoli

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