Invia messaggio
Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTB35N15T4G singoli

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTB35N15T4G singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Numero del pezzo:
NTB35N15T4G
Produttore:
Sul semiconduttore
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione

Specifiche di NTB35N15T4G

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 150V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 37A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 3200pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 2W (tum), 178W (Tj)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 50 mOhm @ 18.5A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NTB35N15T4G

Rilevazione

MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTB35N15T4G singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTB35N15T4G singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTB35N15T4G singoliMOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NTB35N15T4G singoli

Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable