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MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo STFI20N65M5 singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Descrizione:
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Numero del pezzo:
STFI20N65M5
Produttore:
STMicroelectronics
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
MDmesh™ V
Introduzione

Specifiche STFI20N65M5

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 650V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 18A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 5V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1345pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 130W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 190 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore I2PAKFP (TO-281)
Pacchetto/caso Pacchetto completo TO-262-3, io ² Pak
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

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Rilevazione

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