MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SIHG47N60E-GE3 singoli
Specificità
Numero del pezzo:
SIHG47N60E-GE3
Produttore:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Introduzione
Specifiche SIHG47N60E-GE3
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo del FET | N-Manica |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 47A (TC) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 4V @ 250µA |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 9620pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica del FET | - |
Dissipazione di potere (massima) | 357W (TC) |
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 64 mOhm @ 24A, 10V |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247AC |
Pacchetto/caso | TO-247-3 |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballare SIHG47N60E-GE3
Rilevazione
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable