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TK35A65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
TK35A65W5, S5X
Produttore:
Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Serie:
DTMOSIV
Introduzione

TK35A65W5, specifiche di S5X

Stato della parte Attivo
Tipo del FET N-Manica
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 650V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 35A (tum)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4.5V @ 2.1mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 115nC @ 10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica del FET -
Dissipazione di potere (massima) 50W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 95 mOhm @ 17.5A, 10V
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-220SIS
Pacchetto/caso TO-220-3 pacchetto completo, linguetta isolata
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

TK35A65W5, imballaggio di S5X

Rilevazione

TK35A65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoliTK35A65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoliTK35A65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoliTK35A65W5, MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di S5X singoli

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